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存储器扩展连接理解(S3C2410为例)——NandFlash

时间:09-09-11 栏目:系统技术篇 作者:鲁智森也有文化 评论:0 点击: 1,518 次


 

1 NandFlash接口电路

2 NandFlash接口信号

      Ø NandFlash接口信号较少
      Ø 数据宽度只有8Bit,没有地址总线,地址、数据总线复用,串行读取

 


3 NandFlash地址结构

      Ø NandFlash设备的存储容量是以页(Page)和块(Block)为单位的。
      Ø Page=528Byte (512Byte用于存放数据,其余16Byte用于存放其他信息,如块好坏的标记、块的逻辑地址、页内数据的ECC校验和等)。
      Ø Block=32Page
      Ø 容量为64MB的NandFlash存储结构为:512Byte×32Page×4096Block
      Ø NandFlash以页为单位进行读和编程(写)操作,一页为512Byte;以块为单位进行擦除操作,一块为512Byte*32page=16KB
      Ø 对于64MB的NAND设备,需要26根地址线,由于NAND设备数据总线宽度是8位的,因此必须经过4个时钟周期才能把全部地址信息接收下来

 

      Ø 可以这么说,第一个时钟周期给出的是目标地址在一个page内的偏移量,而后三个时钟周期给出的是页地址
      Ø 由于一个页内有512Byte,需要9bit的地址寻址,而第一个时钟周期只给出了低8bit,最高位A8由不同的读命令(Read Mode2)来区分的。


4 NandFlash的命令

 


 

 

 

 

 

声明: 本文由( 鲁智森也有文化 )原创编译,转载请保留链接: 存储器扩展连接理解(S3C2410为例)——NandFlash

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